IAUC120N06S5N022ATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC120N06S5N022ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC60N04S6L030HATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUC120N06S5N022ATMA1 IAUC120N06S5N022ATMA1 - 60V, 2.2mΩ OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5N022ATMA1 - 60V, 2.2mΩ OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5N022ATMA1 ✓ 生産中
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IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC120N06S5N022ATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.68 $0.94
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) 170 A (Tj) —
On-Resistance RDS(on) max 2.2 mΩ at VGS=10 V —
Power Dissipation (PD) 136 W (Tc) —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: TJ min/max] —
パッケージ PG-TDSON-8-34 (TDSON EP 5x6) PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-5 trench —
Channel Type N-Channel —
ピン数 8 (with exposed pad) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (per part number suffix)
RoHS ステータス Compliant Compliant
ハロゲンフリー Yes (per Infineon product family convention) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
RDS(on) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @4.5V] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Series — OptiMOS 6
Configuration — Half-Bridge (2 N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
動作接合温度 — -55 C to +175 C
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020)

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