IAUC41N06S5L100ATMA1 vs IAUC28N08S5L230ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC41N06S5L100ATMA1 par Infineon et IAUC28N08S5L230ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC41N06S5L100ATMA1 - 60V 41A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUC41N06S5L100ATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUC28N08S5L230ATMA1 - 80V 28A 23mΩ OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | Infineon
IAUC28N08S5L230ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC41N06S5L100ATMA1 | IAUC28N08S5L230ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,43 | $0,71 |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench MOSFET) | OptiMOS-5 Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | 41 A | — |
| Power Dissipation (PD, TC) | 42 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 10 mOhm at VGS=10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: max VGS rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-33 (TDSON-8, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm SSO8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101 automotive grade) | Yes (AEC-Q101) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Interconnect | Copper clip (low-inductance) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS-5 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) | — | 28 A |
| Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) | — | 23 mΩ (typ) |
| Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>, typ) | — | 2.5 V |
| Gate Charge (Q<sub>g</sub>, typ) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) | — | 38 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |