IAUC60N04S6L030HATMA1 vs IAUC50N08S5N102ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUC60N04S6L030HATMA1 par Infineon et IAUC50N08S5N102ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ Actif
Infineon
IAUC50N08S5N102ATMA1 IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC50N08S5N102ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,94 $0,51
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 6 —
Configuration Half-Bridge (2 N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TJ 60 A —
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V 3.0 mOhm (typical) —
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V 35 nC —
Output Capacitance (Coss) 2.128 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 596 pF —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC 75 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per part number suffix) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Series — OptiMOS 5
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 50 A
On-Resistance (RDS(on)) — 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 1394 pF @ 40 V
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 60 W
Plage de température de fonctionnement — -55°C to +175°C
Boîtier / Format — PG-TDSON-8-33
Qualification — AEC-Q101

Fiches techniques et ressources

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