IAUC60N04S6L030HATMA1 vs IAUC50N08S5N102ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC60N04S6L030HATMA1 por Infineon e IAUC50N08S5N102ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ Ativo
Infineon
IAUC50N08S5N102ATMA1 IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC50N08S5N102ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,94 $0,51
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 6 —
Configuration Half-Bridge (2 N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TJ 60 A —
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V 3.0 mOhm (typical) —
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V 35 nC —
Output Capacitance (Coss) 2.128 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 596 pF —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC 75 W —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per part number suffix) —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Series — OptiMOS 5
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 50 A
On-Resistance (RDS(on)) — 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 1394 pF @ 40 V
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 60 W
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +175°C
Encapsulamento / Caixa — PG-TDSON-8-33
Qualification — AEC-Q101

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