IAUC60N04S6L030HATMA1 vs IAUC60N04S6N031HATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC60N04S6L030HATMA1 par Infineon et IAUC60N04S6N031HATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC60N04S6L030HATMA1 | IAUC60N04S6N031HATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,94 | $0,95 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Series | OptiMOS 6 | — |
| Configuration | Half-Bridge (2 N-Channel) | Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TJ | 60 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V | 3.0 mOhm (typical) | — |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | 35 nC | — |
| Output Capacitance (Coss) | 2.128 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 596 pF | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC | 75 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) | PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per part number suffix) | AEC-Q101 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Part Family | — | IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge) |
| Process Technology | — | OptiMOS 6 40V |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | — | 60 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | — | 75 W |
| R_DS(on) at VGS=10V | — | 3.1 mΩ |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| Nombre de broches | — | 8 |