IAUC60N04S6L030HATMA1 vs IAUC60N04S6N031HATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUC60N04S6L030HATMA1 제조: Infineon 및 IAUC60N04S6N031HATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ 활성
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IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.94 $0.95
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 6 —
Configuration Half-Bridge (2 N-Channel) Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TJ 60 A —
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V 3.0 mOhm (typical) —
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V 35 nC —
Output Capacitance (Coss) 2.128 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 596 pF —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC 75 W —
동작 접합 온도 -55 C to +175 C —
패키지 PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per part number suffix) AEC-Q101
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Part Family — IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge)
Process Technology — OptiMOS 6 40V
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 60 A
Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 75 W
R_DS(on) at VGS=10V — 3.1 mΩ
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
동작 온도 범위 — -55 °C to +175 °C (Tj)
핀 수 — 8

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