IAUC60N04S6L030HATMA1 vs IAUC60N04S6N031HATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC60N04S6L030HATMA1 メーカー: Infineon および IAUC60N04S6N031HATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ 生産中
Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.94 $0.95
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 6 —
Configuration Half-Bridge (2 N-Channel) Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TJ 60 A —
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V 3.0 mOhm (typical) —
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V 35 nC —
Output Capacitance (Coss) 2.128 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 596 pF —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC 75 W —
動作接合温度 -55 C to +175 C —
パッケージ PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per part number suffix) AEC-Q101
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Part Family — IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge)
Process Technology — OptiMOS 6 40V
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 60 A
Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 75 W
R_DS(on) at VGS=10V — 3.1 mΩ
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
動作温度範囲 — -55 °C to +175 °C (Tj)
ピン数 — 8

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼