IAUC60N04S6L039ATMA1 vs BSC032N04LSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC60N04S6L039ATMA1 par Infineon et BSC032N04LSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC60N04S6L039ATMA1 | BSC032N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,72 | $0,32 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS 6 (trench) | OptiMOS 5 trench |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | 60 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 240 A | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 3.9 milliohm | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (P_D) | 42 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | -55°C to +175°C |
| Boîtier | PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes (100% avalanche tested) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Series | — | OptiMOS 5 40V |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 21 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 98 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.2 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 52 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Lead-Free | — | Yes |