IAUC60N04S6L039ATMA1 vs BSC032N04LSATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUC60N04S6L039ATMA1 por Infineon e BSC032N04LSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IAUC60N04S6L039ATMA1 | BSC032N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,72 | $0,32 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS 6 (trench) | OptiMOS 5 trench |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | 60 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 240 A | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 3.9 milliohm | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (P_D) | 42 W | — |
| Temperatura de junção de operação | -55C to +175C | -55°C to +175°C |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes (100% avalanche tested) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Series | — | OptiMOS 5 40V |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 21 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 98 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.2 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 52 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Lead-Free | — | Yes |