IAUC60N04S6L039ATMA1 vs IAUC120N04S6L005ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC60N04S6L039ATMA1 par Infineon et IAUC120N04S6L005ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC120N04S6L005ATMA1 - 40V 120A 0.55mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IAUC120N04S6L005ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC60N04S6L039ATMA1 | IAUC120N04S6L005ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,72 | $0,92 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 6 (trench) | OptiMOS 6, N-Channel Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | 60 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 240 A | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 3.9 milliohm | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (P_D) | 42 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C |
| Boîtier | PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm | PG-TDSON-8-53 (5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes (100% avalanche tested) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IAUC120N04S6L005ATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 120 A (Tj) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 187 W |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 0.55 mΩ at 60 A |
| RDS(on) max at VGS=4.5 V | — | 0.85 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±16 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 177 nC at VGS=10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 11.203 nF at 25 V |
| Output Capacitance (Coss) | — | 2.982 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 175 pF |