IAUC60N04S6L039ATMA1 vs IAUC120N04S6L005ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUC60N04S6L039ATMA1 제조: Infineon 및 IAUC120N04S6L005ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 - 40V 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6L039ATMA1 - 40V 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6L039ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.72 $0.92
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 6 (trench) OptiMOS 6, N-Channel Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) 60 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 240 A —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 3.9 milliohm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (P_D) 42 W —
동작 접합 온도 -55C to +175C -55 °C to +175 °C
패키지 PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8-53 (5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
RoHS 상태 Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IAUC120N04S6L005ATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 120 A (Tj)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulse rating]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 187 W
RDS(on) max at VGS=10 V — 0.55 mΩ at 60 A
RDS(on) max at VGS=4.5 V — 0.85 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V
Total Gate Charge (Qg) — 177 nC at VGS=10 V
Input Capacitance (Ciss) — 11.203 nF at 25 V
Output Capacitance (Coss) — 2.982 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 175 pF

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