IAUC60N04S6N031HATMA1 vs IAUC100N04S6L014ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC60N04S6N031HATMA1 par Infineon et IAUC100N04S6L014ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUC100N04S6L014ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6L014ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC60N04S6N031HATMA1 | IAUC100N04S6L014ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,95 | $0,72 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge) | IAUC / OptiMOS 6 40V |
| Process Technology | OptiMOS 6 40V | — |
| Configuration | Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | 60 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | 75 W | — |
| R_DS(on) at VGS=10V | 3.1 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (Tj) | -55C to +175C |
| Boîtier | PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm) | PG-TDSON-8 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Mode | — | Enhancement |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 1.4 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: Q_G typical] |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 100 W |
| AEC-Q101 Qualification | — | Yes |
| Technology | — | OptiMOS 6 |
| Packaging | — | Tape & Reel (ATMA1 suffix) |