IAUC60N04S6N031HATMA1 vs IAUC100N04S6L014ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC60N04S6N031HATMA1 メーカー: Infineon および IAUC100N04S6L014ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ 生産中
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IAUC100N04S6L014ATMA1 IAUC100N04S6L014ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L014ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L014ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC100N04S6L014ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.95 $0.72
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge) IAUC / OptiMOS 6 40V
Process Technology OptiMOS 6 40V —
Configuration Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 60 A —
Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 75 W —
R_DS(on) at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C (Tj) -55C to +175C
パッケージ PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm) PG-TDSON-8 (SuperSO8, 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 8 —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Mode — Enhancement
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 100 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
R_DS(on) max (V_GS=10V) — 1.4 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: Q_G typical]
Power Dissipation (P_D, Tc) — 100 W
AEC-Q101 Qualification — Yes
Technology — OptiMOS 6
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix)

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