IAUC60N06S5L073ATMA1 vs IAUC100N04S6N028ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC60N06S5L073ATMA1 par Infineon et IAUC100N04S6N028ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC60N06S5L073ATMA1 | IAUC100N04S6N028ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,41 | $0,42 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | OptiMOS 6 40V |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 60 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 7.3 mΩ | — |
| Total Gate Charge (QG) | 17.4 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 52 W | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) | PG-TDSON-8 (TDSON-8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C |
| Technology | Trench (OptiMOS 5) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Qualification | AEC-Q101 automotive grade | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Thermal Resistance RθJA | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 400 A |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 2.8 mΩ (typical) |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 1.5 V to 2.5 V |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: Q_g in nC] |
| Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C | — | 62 W |
| Automotive Qualified | — | Yes |