IAUC60N06S5L073ATMA1 vs IAUC100N04S6N028ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC60N06S5L073ATMA1 por Infineon e IAUC100N04S6N028ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUC60N06S5L073ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 ✓ Ativo
Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC60N06S5L073ATMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,41 $0,42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS 6 40V
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 60 A —
On-Resistance RDS(on) max 7.3 mΩ —
Total Gate Charge (QG) 17.4 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 52 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-TDSON-8 (TDSON-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C -55 °C to +175 °C
Technology Trench (OptiMOS 5) MOSFET (Metal Oxide)
Número de pinos 8 —
Configuration Single N-Channel —
Qualification AEC-Q101 automotive grade —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Thermal Resistance RθJA [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 400 A
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 2.8 mΩ (typical)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 1.5 V to 2.5 V
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g in nC]
Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C — 62 W
Automotive Qualified — Yes

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