IAUCN04S7L050HATMA1 vs IAUCN04S7L014ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7L050HATMA1 par Infineon et IAUCN04S7L014ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN04S7L050HATMA1 | IAUCN04S7L014ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,83 | $1,38 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ 7 | OptiMOS 5 40V Automotive |
| Configuration | Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge) | Single N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C | 65 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 5.04 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | [DATA_NEEDED: Total gate charge Qg] |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | 40 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge) | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 8-pin) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (family-level, automotive grade) | — |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 120 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 1.43 mΩ |
| Tension de seuil de grille | — | [DATA_NEEDED: Gate threshold voltage] |
| Power Dissipation (Pd) | — | [DATA_NEEDED: Power dissipation Pd] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55°C to +175°C (typical automotive MOSFET range) |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |