IAUCN04S7L050HATMA1 vs IAUCN04S7L014ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IAUCN04S7L050HATMA1 제조: Infineon 및 IAUCN04S7L014ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IAUCN04S7L050HATMA1 | IAUCN04S7L014ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.83 | $1.38 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ 7 | OptiMOS 5 40V Automotive |
| Configuration | Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge) | Single N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C | 65 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 5.04 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | [DATA_NEEDED: Total gate charge Qg] |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | 40 W | — |
| 동작 접합 온도 | -55 °C to +175 °C | — |
| 패키지 | PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge) | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 8-pin) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (family-level, automotive grade) | — |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 120 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 1.43 mΩ |
| 게이트 임계 전압 | — | [DATA_NEEDED: Gate threshold voltage] |
| Power Dissipation (Pd) | — | [DATA_NEEDED: Power dissipation Pd] |
| 동작 온도 범위 | — | -55°C to +175°C (typical automotive MOSFET range) |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |