IAUCN04S7N006TATMA1 vs IAUCN04S7N027GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N006TATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N027GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUCN04S7N006TATMA1 IAUCN04S7N006TATMA1 - 40V 425A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N006TATMA1 - 40V 425A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N006TATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN04S7N006TATMA1 IAUCN04S7N027GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,66 $0,72
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_j) 425 A —
Power Dissipation (P_D, T_C) 205 W —
R_DS(on) (typ, V_GS=10V) 0.63 mΩ —
Technology OptiMOS 7 (shielded-gate trench) —
Boîtier PG-LHDSO-10-3 (10-LSOP, 5.30 mm width, exposed pad) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Tj min/max] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: Q_G at V_GS=10V] —
Automotive Grade Yes (Infineon automotive MOSFET line) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL]
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds max) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) — 117 A
On-Resistance (Rds(on) max) — 2.67 mOhm
Power Dissipation (Pd) — 70 W (Tc)
Boîtier / Format — PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6)
Qualification — Automotive
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Gate-Source Voltage Max (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy FR-4

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