IAUCN04S7N006TATMA1 vs IAUCN04S7N027GATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IAUCN04S7N006TATMA1 제조: Infineon 및 IAUCN04S7N027GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IAUCN04S7N006TATMA1 | IAUCN04S7N027GATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.66 | $0.72 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_j) | 425 A | — |
| Power Dissipation (P_D, T_C) | 205 W | — |
| R_DS(on) (typ, V_GS=10V) | 0.63 mΩ | — |
| Technology | OptiMOS 7 (shielded-gate trench) | — |
| 패키지 | PG-LHDSO-10-3 (10-LSOP, 5.30 mm width, exposed pad) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: Q_G at V_GS=10V] | — |
| Automotive Grade | Yes (Infineon automotive MOSFET line) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds max) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 117 A |
| On-Resistance (Rds(on) max) | — | 2.67 mOhm |
| Power Dissipation (Pd) | — | 70 W (Tc) |
| 패키지 / 케이스 | — | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) |
| Qualification | — | Automotive |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] |
| Gate-Source Voltage Max (Vgs) | — | [DATA_NEEDED: Vgs max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Substrate Compatibility | — | IMS substrates and legacy FR-4 |