IAUCN04S7N009ATMA1 vs BSC123N08NS3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N009ATMA1 par Infineon et BSC123N08NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN04S7N009ATMA1 BSC123N08NS3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,55 $0,71
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A —
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V 0.96 mΩ —
Gate Drive Voltage (V_GS) 10 V —
Boîtier PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +175C —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Niveau MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant Compliant with exemption
Configuration Single N-Channel Single with built-in body diode
Supplier Device Package PG-TDSON-8-34 —
Part Family — OptiMOS 3
Channel Type — N-Channel
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum Continuous Drain Current (ID, Tc) — 55 A
Maximum Continuous Drain Current (ID, Ta) — 11 A
Maximum Pulsed Drain Current — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum RDS(on) @ VGS=10 V — 12.3 mOhm
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (Tc) — 66 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +150C
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)

Fiches techniques et ressources

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