IAUCN04S7N009ATMA1 vs IAUZN04S7L030ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N009ATMA1 par Infineon et IAUZN04S7L030ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN04S7N009ATMA1 | IAUZN04S7L030ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,55 | $0,36 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | — |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 175 A | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V | 0.96 mΩ | — |
| Gate Drive Voltage (V_GS) | 10 V | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) | PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm² |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| Niveau MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-34 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 60 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tj) | — | 100 A |
| On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) | — | 3.05 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 58 W |
| Operating Junction Temperature (Tj) | — | -55C to +175C |
| Technology Family | — | OptiMOS-7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive OptiMOS) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |