IAUCN04S7N015GATMA1 vs IAUCN04S6N013TATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N015GATMA1 par Infineon et IAUCN04S6N013TATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN04S6N013TATMA1 - 40V N-Channel Automotive MOSFET | Infineon
IAUCN04S6N013TATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN04S7N015GATMA1 | IAUCN04S6N013TATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,21 | $1,66 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 165 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (P_D) | 96 W (Tc) | — |
| R_DS(on) max | 1.53 mΩ at V_GS=10 V | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | — |
| Boîtier | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T) |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| Total Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Type de montage | Surface Mount (IMS-compatible source-down) | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | — | 230 A at T<sub>C</sub> |
| R<sub>DS(on)</sub> (max) | — | 1.32 mΩ at V<sub>GS</sub> = 10 V |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | — | 133 W at T<sub>C</sub> |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | — | 2.6 V (typ) |
| Total Gate Charge (Q<sub>g</sub>) | — | 52 nC at V<sub>GS</sub> = 10 V |
| Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) | — | 1.08 nF |
| Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) | — | 3.7 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) | — | 51 pF |