IAUCN04S7N015GATMA1 vs IAUCN04S7L042GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N015GATMA1 par Infineon et IAUCN04S7L042GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7L042GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,21 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 OptiMOS 7 40V
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 165 A (Tc) —
Power Dissipation (P_D) 96 W (Tc) —
R_DS(on) max 1.53 mΩ at V_GS=10 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Boîtier PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Type de montage Surface Mount (IMS-compatible source-down) Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias)
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Technology — Trench N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 77 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C (Tj)
Polarity / Channel Type — N-Channel enhancement mode
Automotive Qualified — Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts)
Packing — Tape & Reel (per -ATMA1 suffix)
Target Substrate — IMS substrate and legacy FR4 designs
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]

Fiches techniques et ressources

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