IAUCN04S7N015GATMA1 vs IAUCN04S7L042GATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN04S7N015GATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN04S7L042GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7L042GATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.21 $0.86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 OptiMOS 7 40V
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 165 A (Tc) —
Power Dissipation (P_D) 96 W (Tc) —
R_DS(on) max 1.53 mΩ at V_GS=10 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
パッケージ PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount
動作接合温度 -55C to +175C —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
RoHS ステータス Compliant Compliant
実装タイプ Surface Mount (IMS-compatible source-down) Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias)
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Technology — Trench N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 77 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
動作温度範囲 — -55C to +175C (Tj)
Polarity / Channel Type — N-Channel enhancement mode
Automotive Qualified — Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts)
Packing — Tape & Reel (per -ATMA1 suffix)
Target Substrate — IMS substrate and legacy FR4 designs
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]

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