IAUCN04S7N019DATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N019DATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N019GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN04S7N019DATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,05 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 7 40V —
Configuration Dual N-Channel (array) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 160 A (Tj) —
Power Dissipation (PD, Tc) 96 W —
Boîtier PG-TDSON-8-60 (SuperSO8) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Input Capacitance (Ciss, typ.) 1.465 nF —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Automotive Qualification AEC-Q101 (family) AEC-Q101 (per family datasheet)
ESD Protection Yes (gate integrated) —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, family default) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 7
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]

Fiches techniques et ressources

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