IAUCN04S7N019DATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S7N019DATMA1 por Infineon e IAUCN04S7N019GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN04S7N019DATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,05 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 7 40V —
Configuration Dual N-Channel (array) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 160 A (Tj) —
Power Dissipation (PD, Tc) 96 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8-60 (SuperSO8) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Input Capacitance (Ciss, typ.) 1.465 nF —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Automotive Qualification AEC-Q101 (family) AEC-Q101 (per family datasheet)
ESD Protection Yes (gate integrated) —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, family default) —
Status RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 7
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação