IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUCN04S7L009ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N019GATMA1 par Infineon et IAUCN04S7L009ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-FET, 1.95 mOhm SSO4G | Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUCN04S7L009ATMA1 - 40V 275A 0.91mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon
IAUCN04S7L009ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN04S7N019GATMA1 | IAUCN04S7L009ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,82 | $0,96 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | 147 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical | 1.95 mOhm | — |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | 81 W | — |
| Boîtier | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Substrate Compatibility | IMS substrates and legacy PCB | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per family datasheet) | AEC-Q101 qualified |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Tape and Reel Packaging | Yes (per ATMA1 suffix) | — |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| Part Number | — | IAUCN04S7L009ATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS™ 7 (trench-gate) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) | — | 275 A (Tj) |
| Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) | — | 175 A |
| Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) | — | 129 W |
| Rds(on) Max @ Vgs=10V | — | 0.91 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Niveau MSL | — | 1 |