IAUCN04S7N056DATMA1 vs IAUCN04S7N027GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N056DATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N027GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN04S7N056DATMA1 | IAUCN04S7N027GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,68 | $0,72 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IAUCN04S7N056DATMA1 | — |
| Series | OptiMOS 5 40V | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 60 A (Tj) | — |
| RDS(on) (typ) | 5.59 mΩ | — |
| Power Dissipation (Pd) | 41 W (Tc) | 70 W (Tc) |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | PG-TDSON-8-61 (TDSON EP, 5x6 mm) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging Type | Tape & Reel | — |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds max) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 117 A |
| On-Resistance (Rds(on) max) | — | 2.67 mOhm |
| Boîtier / Format | — | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) |
| Qualification | — | Automotive |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] |
| Gate-Source Voltage Max (Vgs) | — | [DATA_NEEDED: Vgs max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL] |
| Substrate Compatibility | — | IMS substrates and legacy FR-4 |