IAUCN04S7N056DATMA1 vs IAUCN04S7N027GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S7N056DATMA1 por Infineon e IAUCN04S7N027GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUCN04S7N056DATMA1 IAUCN04S7N056DATMA1 - 40V N-Channel MOSFET 5.6mΩ | Infineon

IAUCN04S7N056DATMA1 - 40V N-Channel MOSFET 5.6mΩ | Infineon

IAUCN04S7N056DATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN04S7N056DATMA1 IAUCN04S7N027GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,68 $0,72
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUCN04S7N056DATMA1 —
Series OptiMOS 5 40V —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 60 A (Tj) —
RDS(on) (typ) 5.59 mΩ —
Power Dissipation (Pd) 41 W (Tc) 70 W (Tc)
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Encapsulamento PG-TDSON-8-61 (TDSON EP, 5x6 mm) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET —
Status RoHS Compliant Compliant
Packaging Type Tape & Reel —
Product Family — OptiMOS 7
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds max) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) — 117 A
On-Resistance (Rds(on) max) — 2.67 mOhm
Encapsulamento / Caixa — PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6)
Qualification — Automotive
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Gate-Source Voltage Max (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL]
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy FR-4

Fichas técnicas e recursos

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