IAUCN08S7L033ATMA1 vs IAUC41N06S5N102ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN08S7L033ATMA1 par Infineon et IAUC41N06S5N102ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC41N06S5N102ATMA1 - 60V 47A 10.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon
IAUC41N06S5N102ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN08S7L033ATMA1 | IAUC41N06S5N102ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,86 | $0,58 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | Automotive OptiMOS 7 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 60 V |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 3.3 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 130 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 118 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C (TJ) | -55C to +175C (junction) |
| Boîtier | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) | PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) | — |
| Technology | OptiMOS 7 trench MOSFET | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) | — |
| Part Family | — | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 47 A (Tj) |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 42 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 3.4 V (typical) |
| Total Gate Charge (QG) | — | 12.5 nC |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family) |
| Channel Polarity | — | N-Channel (single) |