IAUCN10S5L110TATMA1 vs IPB35N10S3L26ATMA2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN10S5L110TATMA1 par Infineon et IPB35N10S3L26ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L110TATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN10S5L110TATMA1 | IPB35N10S3L26ATMA2 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,08 | $0,48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Technology | N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 61 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 11.3 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 88 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Storage Temperature | [DATA_NEEDED: storage temperature] | — |
| Boîtier | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | MSL1 (260°C peak reflow) | — |
| Avalanche Rated | 100% Avalanche Tested | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Extended Qualification | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS Power-Transistor |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 35 A |
| Courant de drain pulsé | — | 180 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| RDS(on) (typical) | — | 26.3 mOhm |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Nombre de broches | — | 3 |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Infineon product page classification) |