IAUCN10S5L110TATMA1 vs IPB35N10S3L26ATMA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN10S5L110TATMA1 por Infineon e IPB35N10S3L26ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPB35N10S3L26ATMA2 IPB35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA2 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN10S5L110TATMA1 IPB35N10S3L26ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,08 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Technology N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 61 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.3 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Power Dissipation (PD) at Tc 88 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Encapsulamento PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL1 (260°C peak reflow) —
Avalanche Rated 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Extended Qualification —
Status RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS Power-Transistor
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 35 A
Corrente de dreno pulsada — 180 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
RDS(on) (typical) — 26.3 mOhm
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C
Número de pinos — 3
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Automotive Qualified — Yes (per Infineon product page classification)

Fichas técnicas e recursos

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