IAUCN10S7L290TATMA1 vs IAUZ30N10S5L240ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN10S7L290TATMA1 par Infineon et IAUZ30N10S5L240ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN10S7L290TATMA1 - 100V 27A OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN10S7L290TATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUZ30N10S5L240ATMA1 - 100V 30A 24mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUZ30N10S5L240ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN10S7L290TATMA1 | IAUZ30N10S5L240ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,36 | $0,86 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS™ 7 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 27 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 28.6 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 45 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7 mm) - top-side cooled | PG-TSDSON-8-32 (8-PowerTDFN, exposed drain pad) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| ESD Protection | HBM Class 1C (per Infineon datasheet) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | OptiMOS 5 (trench) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 30 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 24 mΩ |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Charge (Q_g) typ | — | 14 nC at V_GS=10V |
| Input Capacitance (C_iss) typ | — | 832 pF at V_DS=50V |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 45.5 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55°C to +175°C (junction, automotive grade) |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) value] |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] |