IAUS300N08S5N011TATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUS300N08S5N011TATMA1 par Infineon et BSC050N04LSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUS300N08S5N011TATMA1 - 80V 300A 1.1mOhm OptiMOS-5 MOSFET | Infineon
IAUS300N08S5N011TATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUS300N08S5N011TATMA1 | BSC050N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,65 | $0,41 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS-5 (trench MOSFET) | OptiMOS 3 (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | 300 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 375 W | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | 1.1 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3 V (max) | — |
| Total Gate Charge (Q_G) @ 10V | 231 nC | — |
| Output Capacitance (C_OSS) | 130 pF (typ) | — |
| Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) | 16.25 nF (typ) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C (Tj) | -55C to +150C |
| Boîtier | PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16) | PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Channels | 1 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualified | Yes (Infineon automotive part) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) | — | 18 A |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) | — | 85 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 57 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse avalanche) |
| Niveau MSL | — | 1 |