IAUT300N08S5N011ATMA1 vs IPT012N08N5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUT300N08S5N011ATMA1 par Infineon et IPT012N08N5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUT300N08S5N011ATMA1 | IPT012N08N5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,40 | $4,32 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | 300 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 410 A (Tj) | — |
| R_DS(on) max | 1.10 mOhm at V_GS=10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.8 V | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | 231 nC at V_GS=10 V | — |
| Input Capacitance (C_iss) | 16.25 nF | — |
| Output Capacitance (C_oss) | 2.6 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (C_rss) | 130 pF | — |
| Power Dissipation (P_D) | 375 W at T_C=25C | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | -55C to +175C (TJ max) |
| Boîtier | PG-HSOF-8-1 (TOLL 10x12 mm) | PG-HSOF-8 (TOLL) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 | — |
| Qualification | Automotive (AEC-Q101) | JEDEC JESD47, JESD22, J-STD-020 (industrial) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPT012N08N5ATMA1 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC) | — | 300 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 400 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 1.2 mOhm |
| Total Gate Charge QG | — | 208 nC |
| Gate-to-Drain Charge QGD | — | 178 nC |
| Power Dissipation (PD, TC) | — | 375 W |
| Statut RoHS | — | Compliant |