IAUT300N08S5N011ATMA1 vs IPT012N08N5ATMA1 比較
詳細な並列比較: IAUT300N08S5N011ATMA1 メーカー: Infineon および IPT012N08N5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IAUT300N08S5N011ATMA1 | IPT012N08N5ATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $5.40 | $4.32 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | 300 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 410 A (Tj) | — |
| R_DS(on) max | 1.10 mOhm at V_GS=10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.8 V | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | 231 nC at V_GS=10 V | — |
| Input Capacitance (C_iss) | 16.25 nF | — |
| Output Capacitance (C_oss) | 2.6 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (C_rss) | 130 pF | — |
| Power Dissipation (P_D) | 375 W at T_C=25C | — |
| 動作温度範囲 | -55C to +175C | -55C to +175C (TJ max) |
| パッケージ | PG-HSOF-8-1 (TOLL 10x12 mm) | PG-HSOF-8 (TOLL) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSLレベル | 1 | — |
| Qualification | Automotive (AEC-Q101) | JEDEC JESD47, JESD22, J-STD-020 (industrial) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPT012N08N5ATMA1 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC) | — | 300 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 400 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 1.2 mOhm |
| Total Gate Charge QG | — | 208 nC |
| Gate-to-Drain Charge QGD | — | 178 nC |
| Power Dissipation (PD, TC) | — | 375 W |
| RoHS ステータス | — | Compliant |