IAUT300N08S5N011ATMA1 vs IPT012N08N5ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IAUT300N08S5N011ATMA1 от Infineon и IPT012N08N5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IAUT300N08S5N011ATMA1 | IPT012N08N5ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $5,40 | $4,32 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | 300 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 410 A (Tj) | — |
| R_DS(on) max | 1.10 mOhm at V_GS=10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.8 V | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | 231 nC at V_GS=10 V | — |
| Input Capacitance (C_iss) | 16.25 nF | — |
| Output Capacitance (C_oss) | 2.6 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (C_rss) | 130 pF | — |
| Power Dissipation (P_D) | 375 W at T_C=25C | — |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +175C | -55C to +175C (TJ max) |
| Корпус | PG-HSOF-8-1 (TOLL 10x12 mm) | PG-HSOF-8 (TOLL) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Уровень MSL | 1 | — |
| Qualification | Automotive (AEC-Q101) | JEDEC JESD47, JESD22, J-STD-020 (industrial) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPT012N08N5ATMA1 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC) | — | 300 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 400 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 1.2 mOhm |
| Total Gate Charge QG | — | 208 nC |
| Gate-to-Drain Charge QGD | — | 178 nC |
| Power Dissipation (PD, TC) | — | 375 W |
| Статус RoHS | — | Compliant |