IAUT300N08S5N014ATMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUT300N08S5N014ATMA1 par Infineon et IPB60R280P7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUT300N08S5N014ATMA1 - 80V 300A 1.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUT300N08S5N014ATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUT300N08S5N014ATMA1 | IPB60R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,05 | $0,88 |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 300 A (DC) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | 1.4 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) max] | — |
| Power Dissipation PD @ TC=25°C | 300 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-HSOF-8-1 (8-pin + tab, Surface Mount) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 (unlimited floor life at ≤30 °C / 85 % RH) | — |
| Peak Reflow Temperature | 260 °C | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Avalanche Tested | 100 % (per Infineon datasheet) | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Green Product) | — |
| Technology Family | OptiMOS 5 (Infineon) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolMOS P7 (600 V) |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | Superjunction (SJ) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 12 A |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 280 mOhm |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | — | 3.5 V |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | — | 53 W |
| Nombre de broches | — | 3 (2 + Tab) |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +150 °C (T_j max) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Generation | — | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) |