IAUT300N10S5N015ATMA1 vs IAUZ40N08S5N100ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUT300N10S5N015ATMA1 par Infineon et IAUZ40N08S5N100ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUT300N10S5N015ATMA1 ✓ Actif
Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N08S5N100ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUZ40N08S5N100ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,10 $0,71
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET OptiMOS-5 N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 300 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
RDS(on) (typ, VGS=10V) 1.5 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C -55 °C to +175 °C (TJ)
Boîtier PG-HSOF-8-1 (HSOF-8) PG-TDSON-8 (S3O8) 3.3 × 3.3 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Niveau MSL MSL1 (260°C peak reflow) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Compliance RoHS compliant (Green product) —
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
Polarity N-Channel —
Mode of Operation Enhancement-mode —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 40 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 68 W
On-Resistance RDS(on) max — 10 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge Qg typ — 24.2 nC @ VGS=10 V
Input Capacitance Ciss — 1591 pF @ VDS=40 V
Gate-Source Voltage VGS max — ±20 V
Statut RoHS — Compliant
Channel Type — N-Channel

Fiches techniques et ressources

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