IAUT300N10S5N015ATMA1 vs IAUZ40N08S5N100ATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IAUT300N10S5N015ATMA1 por Infineon y IAUZ40N08S5N100ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Infineon
IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUT300N10S5N015ATMA1 ✓ ActivoInfineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | IAUT300N10S5N015ATMA1 | IAUZ40N08S5N100ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $4,10 | $0,71 |
| Technology | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET | OptiMOS-5 N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 300 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 375 W | — |
| RDS(on) (typ, VGS=10V) | 1.5 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55°C to +175°C | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Encapsulado | PG-HSOF-8-1 (HSOF-8) | PG-TDSON-8 (S3O8) 3.3 × 3.3 mm |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Nivel MSL | MSL1 (260°C peak reflow) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS Compliance | RoHS compliant (Green product) | — |
| Avalanche Tested | 100% avalanche tested | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Mode of Operation | Enhancement-mode | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 68 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 10 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge Qg typ | — | 24.2 nC @ VGS=10 V |
| Input Capacitance Ciss | — | 1591 pF @ VDS=40 V |
| Gate-Source Voltage VGS max | — | ±20 V |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Channel Type | — | N-Channel |