IAUTN04S7N003ATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUTN04S7N003ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N037GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUTN04S7N003ATMA1 - 40V 350A OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IAUTN04S7N003ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUTN04S7N003ATMA1 | IAUCN04S7N037GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,42 | $0,89 |
| Technology | OptiMOS 7 N-Channel Trench MOSFET | Trench MOSFET, N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 350 A | 91 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 357 W | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 0.24 mOhm (typical) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Avalanche Single-Pulse Current | [DATA_NEEDED: IAS] | — |
| Body Diode Continuous Forward Current | 350 A (Tj = 25 °C) | — |
| Body Diode Pulse Current | 3510 A (tp = 100 µs, Tj = 25 °C) | — |
| Body Diode Forward Voltage (VSD) | 0.95 V max (0.8 V typ) at IS = 100 A | — |
| Reverse Recovery Time (trr) | 83 ns typical / 125 ns max | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 126 nC typical / 252 nC max | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (Tj) | [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits] |
| Boîtier | PG-HSOF-8-9 (TOLL, 10x12 mm, surface mount) | SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (IMS substrate attach compatible) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| On-State Resistance RDS(on) typical | — | 3.65 mΩ at VGS = 10 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 57 W |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| Gate Charge (Qg) typical | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |