IAUTN04S7N004ATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUTN04S7N004ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N037GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUTN04S7N004ATMA1 IAUTN04S7N004ATMA1 - 40V 0.38mΩ 350A OptiMOS 7 | Infineon

IAUTN04S7N004ATMA1 - 40V 0.38mΩ 350A OptiMOS 7 | Infineon

IAUTN04S7N004ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUTN04S7N004ATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,05 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Technology N-Channel Trench MOSFET Trench MOSFET, N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C [DATA_NEEDED: ID at TC=25C] —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 350 A 91 A
On-Resistance RDS(on) max 0.38 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 255 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
Boîtier PG-HSOF-8-8 (TOLL 10x12) SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
Qualification AEC-Q101 Automotive —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Polarity N-Channel —
Series — OptiMOS 7
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
Automotive Qualification — AEC-Q101
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]

Fiches techniques et ressources

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