IAUZ30N06S5L140ATMA1 vs BSC014N06NSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUZ30N06S5L140ATMA1 par Infineon et BSC014N06NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUZ30N06S5L140ATMA1 IAUZ30N06S5L140ATMA1 - 60V 30A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N06S5L140ATMA1 - 60V 30A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N06S5L140ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUZ30N06S5L140ATMA1 BSC014N06NSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,96 $0,89
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 30 A (Tj) —
Power Dissipation (PD, Tc) 33 W —
RDS(on) Max @ VGS=10 V 14 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.2 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) 12.2 nC @ VGS=10 V —
Output Capacitance (Coss) 888 pF @ VDS=30 V —
Boîtier PG-TSDSON-8-32 (S3O8, 3x3 mm) PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de jonction en fonctionnement -55°C to +175°C —
Technology Family OptiMOS 5 —
Automotive Grade AEC-Q101 qualified —
Gate-Source Voltage Max ±20 V —
Lead-Free / RoHS Yes (RoHS compliant) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/- 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 30 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V — 1.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.45 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 156 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C
Niveau MSL — 1
Statut RoHS — Compliant
Technology — OptiMOS 5 (shielded-gate trench)

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