IAUZ40N08S5N100ATMA1 vs BSC123N08NS3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUZ40N08S5N100ATMA1 par Infineon et BSC123N08NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUZ40N08S5N100ATMA1 | BSC123N08NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,71 | $0,71 |
| Technology | OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 68 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 10 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg typ | 24.2 nC @ VGS=10 V | — |
| Input Capacitance Ciss | 1591 pF @ VDS=40 V | — |
| Gate-Source Voltage VGS max | ±20 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8 (S3O8) 3.3 × 3.3 mm | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant with exemption |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 3 |
| Configuration | — | Single with built-in body diode |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Maximum Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 55 A |
| Maximum Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 11 A |
| Maximum Pulsed Drain Current | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10 V | — | 12.3 mOhm |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Power Dissipation (Tc) | — | 66 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101) |