IAUZ40N08S5N100ATMA1 vs BSC123N08NS3GATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUZ40N08S5N100ATMA1 por Infineon e BSC123N08NS3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IAUZ40N08S5N100ATMA1 | BSC123N08NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,71 | $0,71 |
| Technology | OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 68 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 10 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg typ | 24.2 nC @ VGS=10 V | — |
| Input Capacitance Ciss | 1591 pF @ VDS=40 V | — |
| Gate-Source Voltage VGS max | ±20 V | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 (S3O8) 3.3 × 3.3 mm | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant with exemption |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 3 |
| Configuration | — | Single with built-in body diode |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Maximum Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 55 A |
| Maximum Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 11 A |
| Maximum Pulsed Drain Current | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10 V | — | 12.3 mOhm |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Power Dissipation (Tc) | — | 66 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55C to +150C |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101) |