IAUZ40N10S5N130ATMA1 vs IAUCN10S7L290TATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUZ40N10S5N130ATMA1 par Infineon et IAUCN10S7L290TATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 - 100V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUCN10S7L290TATMA1 - 100V 27A OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN10S7L290TATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUZ40N10S5N130ATMA1 | IAUCN10S7L290TATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,52 | $0,36 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IAUZ40N10S5N130ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 (super-junction trench) | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 40 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 160 A | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] |
| RDS(on) max at VGS=10V | 13 mΩ | — |
| RDS(on) typical | 10 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | 68 W | — |
| Boîtier | PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7 mm) - top-side cooled |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C (TJ) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q100 qualified |
| Lead-Free / RoHS | ROHS3 Compliant | — |
| Product Family | — | OptiMOS™ 7 |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 27 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 28.6 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 45 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| ESD Protection | — | HBM Class 1C (per Infineon datasheet) |