IAUZ40N10S5N130ATMA1 vs IAUCN10S7L290TATMA1 比較
詳細な並列比較: IAUZ40N10S5N130ATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN10S7L290TATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 - 100V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | IAUZ40N10S5N130ATMA1 | IAUCN10S7L290TATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.52 | $0.36 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IAUZ40N10S5N130ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 (super-junction trench) | — |
| トランジスタタイプ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 40 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 160 A | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] |
| RDS(on) max at VGS=10V | 13 mΩ | — |
| RDS(on) typical | 10 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | 68 W | — |
| パッケージ | PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7 mm) - top-side cooled |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度範囲 | -55°C to +175°C (TJ) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q100 qualified |
| Lead-Free / RoHS | ROHS3 Compliant | — |
| Product Family | — | OptiMOS™ 7 |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 27 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 28.6 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 45 W |
| 動作接合温度 | — | -55 °C to +175 °C |
| MSLレベル | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| ESD Protection | — | HBM Class 1C (per Infineon datasheet) |