IAUZN10S7L289ATMA1 vs IAUZ18N10S5L420ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUZN10S7L289ATMA1 par Infineon et IAUZ18N10S5L420ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUZN10S7L289ATMA1 IAUZN10S7L289ATMA1 - 100V 27A OptiMOS-7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN10S7L289ATMA1 - 100V 27A OptiMOS-7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN10S7L289ATMA1 ✓ Actif
Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUZN10S7L289ATMA1 IAUZ18N10S5L420ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,92 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-7 —
Technology Trench MOSFET (N-Channel) OptiMOS 5 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 27 A —
Power Dissipation (Ptot, Tc=25°C) 45 W —
On-State Resistance (RDS(on), max, VGS=10V) 28.9 mΩ —
Boîtier PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Grade AEC-Q100 qualified (Automotive MOSFET) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 1.7 V to 2.7 V
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C (Tj) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Statut RoHS Compliant Compliant
Nombre de broches 8 —
RoHS Compliance Yes —
Series — OptiMOS 5 100V
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 18 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 42 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) typ. — 8.5 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 30 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Configuration — Single with built-in diode

Fiches techniques et ressources

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