IAUZN10S7L289ATMA1 vs IAUZ18N10S5L420ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUZN10S7L289ATMA1 por Infineon e IAUZ18N10S5L420ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUZN10S7L289ATMA1 IAUZN10S7L289ATMA1 - 100V 27A OptiMOS-7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN10S7L289ATMA1 - 100V 27A OptiMOS-7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN10S7L289ATMA1 ✓ Ativo
Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUZN10S7L289ATMA1 IAUZ18N10S5L420ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,92 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-7 —
Technology Trench MOSFET (N-Channel) OptiMOS 5 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 27 A —
Power Dissipation (Ptot, Tc=25°C) 45 W —
On-State Resistance (RDS(on), max, VGS=10V) 28.9 mΩ —
Encapsulamento PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Grade AEC-Q100 qualified (Automotive MOSFET) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 1.7 V to 2.7 V
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C (Tj) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Status RoHS Compliant Compliant
Contagem de pinos 8 —
RoHS Compliance Yes —
Series — OptiMOS 5 100V
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 18 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 42 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) typ. — 8.5 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 30 W
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Configuration — Single with built-in diode

Fichas técnicas e recursos

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