IGLR70R200D2SXUMA1 vs IGK120B041SXTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IGLR70R200D2SXUMA1 par Infineon et IGK120B041SXTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IGLR70R200D2SXUMA1 IGK120B041SXTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,24 $1,68
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN G5 CoolGaN Bidirectional Switch (BDS)
Channel Type N-Channel —
Technology GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) Gallium Nitride (GaN) on Silicon
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 9.3 A 30 A
Power Dissipation (PD, Tc) 34 W —
On-Resistance (RDS(on), max) 200 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 1.26 nC 4.4 nC
Output Capacitance (Coss) 91 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 0.21 pF —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 1.2 V —
Plage de température de fonctionnement -40 °C to +150 °C [DATA_NEEDED: junction temperature range]
Boîtier PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) SG-UFWLB-16-2 (WLCSP 1.2 x 1.7 mm)
RoHS Compliant —
Generation — G3 (medium-voltage)
Type de transistor — N-Channel, Monolithic Bidirectional
Drain-Source Voltage (VDS, max) — 40 V (symmetric, both polarities)
Power Dissipation (Tc) — 15 W
Power Dissipation (Ta) — 1.2 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) in mOhm]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V]
Operating Mode — Normally-off
Type de montage — Surface Mount
Statut RoHS — Compliant (Pb-free)

Fiches techniques et ressources

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